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作者:"黄均鼐, 汤庭鳌, 胡光喜"
出版年:"20110101"
半导体器件原理
:黄均鼐, 汤庭鳌, 胡光喜
作者：
黄均鼐, 汤庭鳌, 胡光喜
出版社：
复旦大学出版社
出版时间：
20110101
ISBN：
978-7-309-08144-2
索书号：
TN303/26
分类号：
TN303
页数：
375页
价格：
CNY48.00
丛书：
复旦博学
复本数：
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本书不仅介绍了传统的p-n结、双极型晶体管、单栅MOS场效应管、功率晶体管等器件的结构、原理和特性, 还介绍了新型多栅MOS场效应管、不挥发存储器以及肖特基势垒源／漏结构器件的原理和特性。力求突出器件的物理图像和物理概念, 不仅有理论基础知识的阐述, 还有新近研究成果的介绍。
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中文图书
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