半导体物理学 共有2条记录 共耗时[0.000]秒
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出版社:"西安电子科技大学出版社"
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    半导体物理与器件考研辅导:张静

    作者:张静 出版社:西安电子科技大学出版社 出版时间:20180101 ISBN:978-7-5606-5128-6
    索书号:O47/28 分类号:O47 页数:182页 价格:CNY26.00
    丛书:高等学校微电子类“十三五”规划教材
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    本书分两大部分, 共14章, 内容包括半导体中的电子状态, 半导体中杂质和缺陷能级, 半导体中载流子的统计分布, 半导体的导电性, 非平衡载流子, PN结, 金属和半导体的接触, 半导体表面与MIS结构, 半导体异质结构, 半导体的光、电、热、磁效应, PN结二极管, 双极型晶体管, 结型场效应晶体管, MOS型场效应晶体管等。书中练习题形式多样, 内容涵盖了所有考研大纲要求的知识点。本书内容丰富、翔实, 是课堂教学及考研常备手册之一。
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    半导体物理与器件:吕淑媛, 刘崇琪, 罗文峰

    作者:吕淑媛, 刘崇琪, 罗文峰 出版社:西安电子科技大学出版社 出版时间:20170101 ISBN:978-7-5606-4392-2
    索书号:O47/26 分类号:O47 页数:224页 价格:CNY26.00
    丛书:高等学校电子信息类专业“十三五”规划教材
    复本数: 在馆数:
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    本书涵盖了量子力学、 固体物理及半导体器件等内容。全书包括8章内容,可以分为三部分。第一部分为半导体基本属性,包括第1章晶体中的电子运动状态、第2章平衡半导体中的载流子浓度、第3章载流子的输运、第4章过剩载流子。第二部分为半导体器件基础,包括第5章PN结、第6章金属半导体接触和异质结、第7章MOS结构及MOSFET器件。第三部分讨论专用半导体器件,只有一章,即第8章半导体中的光器件。本书突出物理概念、物理过程和物理图像,在重点内容后均有例题,并编写了一些利用计算机仿真实现的例题和习题。
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