碳化硅功率器件: 特性、测试和应用技术/高远, 陈桥梁

本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术, 概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9章：功率半导体器件基础, SiC MOSFET参数的解读、测试及应用, 双脉冲测试技术, SiC器件与Si器件特性对比, 高di/dt的影响与应对——关断电压过冲, 高dv/dt的影响与应对——crosstalk, 高dv/dt的影响与应对——共模电流, 共源极电感的影响与应对, 以及驱动电路设计。