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作者:"高远, 陈桥梁"
出版年:"20210101"
碳化硅功率器件: 特性、测试和应用技术
:高远, 陈桥梁
作者:
高远, 陈桥梁
出版社:
机械工业出版社
出版时间:
20210101
ISBN:
978-7-111-68175-5
索书号:
TN303/49
分类号:
TN303
页数:
xiv, 311页
价格:
CNY99.00
丛书:
电力电子新技术系列图书
复本数:
在馆数:
累借天数:
累借次数:
本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术, 概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9章:功率半导体器件基础, SiC MOSFET参数的解读、测试及应用, 双脉冲测试技术, SiC器件与Si器件特性对比, 高di/dt的影响与应对——关断电压过冲, 高dv/dt的影响与应对——crosstalk, 高dv/dt的影响与应对——共模电流, 共源极电感的影响与应对, 以及驱动电路设计。
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高远, 陈桥梁
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