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作者:高远, 陈桥梁
出版社:机械工业出版社
出版时间:20210101
ISBN:978-7-111-68175-5
索书号:TN303/49
分类号:TN303
页数:xiv, 311页
价格:CNY99.00
丛书:电力电子新技术系列图书
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本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术, 概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9章:功率半导体器件基础, SiC MOSFET参数的解读、测试及应用, 双脉冲测试技术, SiC器件与Si器件特性对比, 高di/dt的影响与应对——关断电压过冲, 高dv/dt的影响与应对——crosstalk, 高dv/dt的影响与应对——共模电流, 共源极电感的影响与应对, 以及驱动电路设计。
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- (俄罗斯)尤里·罗扎诺夫 ... , Yuriy Rozanov, 周京华 .. (1)
- (日) 菅沼克昭, 何钧, 许恒宇(1)
- (波) 克里斯托弗·索扎斯基, Krzysztof Sozanski, 张龙龙 ... (1)
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- 阮新波, 参刘福鑫, 陈新, 陈杰(1)
- 陈荣(1)
- 高远, 陈桥梁(1)
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